Технология распыления относится к технологии PVD (физическое осаждение из паровой фазы) и является одним из важных методов получения тонкопленочных материалов. Он характеризуется использованием заряженных частиц, которые имеют определенную кинетическую энергию после ускорения в электрическом поле. Ионы приводят к целевому электроду (катоду), изготовленному из распыляемого материала, и атомы мишени распыляются, чтобы заставить двигаться Направление движения к подложке и, наконец, осаждение пленки на подложку. Магнетронное распыление представляет собой комбинацию принципа магнетрона и общей технологии распыления. Оно использует специальное распределение магнитного поля для управления траекторией движения электронов в электрическом поле, тем самым улучшая процесс распыления, делая толщину и единообразие покрытия контролируемой и подготовленную пленку. Хорошая компактность, прочная адгезия и высокая чистота. Технология магнетронного распыления стала важным средством для подготовки различных функциональных пленок. Техника сухого травления плазмы является методом тонкопленочной микрообработки с использованием плазмы. В типичном процессе сухого травления один или несколько атомов или молекул газа смешиваются в реакционной камере с образованием плазмы под внешней энергией (например, радиочастота, микроволновая печь и т. д.): С одной стороны, реактивная группа в плазме реагирует с поверхностным материалом, который должен быть вытравлен, чтобы генерировать улетучимый продукт, с другой стороны, ионы в плазме управляются и ускоряются под действием напряжения смещения, чтобы реализовать ориентацию поверхности, подлежащей травлению. Коррозия и ускоренная коррозия. Процесс сухого травления представляет собой комбинацию химической реакции и физической бомбардировки. По сравнению с традиционными технологиями мокрого травления технология сухого травления широко используется в области производства микроэлектронных изделий благодаря хорошей анизотропии и управляемости процесса. Сегодня она постепенно расширяется до светодиодов, упаковки и т. д. поле IC.
